게이트 올 어라운드
트랜지스터의 채널 4면을 게이트가 감싸는 구조로, 기존 FinFET 방식보다 전류 흐름을 더 정밀하게 제어할 수 있는 차세대 공정 기술이다. 3nm 이하 초미세 공정에서 전력 효율을 높이고 성능을 개선하는 데 필수적이다.