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Intel 18A-P 공정이 리스크 생산 단계에 진입하며 차세대 반도체 제조 로드맵을 가속화한다.
기존 Intel 18A 대비 동일 전력에서 9% 높은 성능을 제공하거나, 동일 성능에서 전력 소모를 18% 낮춘다.
근거
- Intel 18A-P delivers 9% higher performance at iso‑power or 18% lower power at iso-performance compared to Intel 18A — Intel 18A-P updates at VLSI section
듀얼 컨택 트랜지스터 도입으로 구동 전류를 높이고, 개선된 소재와 설계를 통해 열 저항을 20-40% 개선했다.
수직 연결부인 비아(via) 저항을 10-30% 줄이고 PMOS 변형 공학을 적용해 트랜지스터 효율을 높였다.
기존 Intel 18A와 설계 규칙이 완벽히 호환되어 기존 IP 및 설계 자산을 그대로 활용 가능하다.
향후 로직 스케일링을 위해 CFET, GaN과 실리콘 로직 통합, 루테늄 상호연결 등 차세대 기술 연구를 병행한다.
기술
- Intel 18A-P
- Intel 18A
- RibbonFET
- PowerVia
- CFET
- GaN
활용 사례
- AI computing
- Logic scaling
- High-performance processor
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출처 · 인용 안내
원문 발행 2026. 06. 17.수집 2026. 06. 17.출처 타입 RSS
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