와이드 밴드갭 반도체
실리콘보다 큰 에너지 밴드갭을 가진 GaN(질화갈륨)이나 SiC(탄화규소) 소재의 반도체이다. 고전압·고온 환경에서도 효율적인 전력 변환이 가능하여 800V DC 시스템의 핵심 소자로 사용된다.